张辉教授团队制备出具有高探测率的CsPbI3纳米管光电探测器件

发布者:发布时间:2019-12-06浏览量:

 

目前,尽管在合成CsPbI3一维纳米材料如纳米线、纳米棒等方面取得了显著进展,但几乎没有纳米管及其类似物的报道。与纳米线、纳米带和纳米片相比,纳米管由于管腔内的光捕获效应而具有增强的光吸收能力,从而会提高其光电性能,有望应用于各种光电器件。

我院张辉教授团队与宁波澳门新葡5130最新网站杨为佑研究员及复旦大学方晓生教授课题组展开合作研究,采用溶剂热法合成了横截面为矩形的单晶CsPbI3纳米管,利用此纳米管组装成的光电探测器器件显示出优异的性能,其探测率达到9.99×1013 Jones

该成果发表在《Small(IF=10.856, DOI: 10.1002/smll.201905253)上,题为“CsPbI3 Nanotube Photodetectors with High Detectivity”,澳门新葡亰手机版材料科学与澳门新葡5130最新网站为论文第一单位,博士生杜振涛为第一作者,张辉教授、杨为佑研究员和方晓生教授为共同通讯作者。

链接:https://doi.org/10.1002/smll.201905253

 

组合01 20181224

1. (a-b) 不同放大倍数下典型CsPbI3纳米管SEM图;(c) 单根CsPbI3纳米管的TEM图,左上方插图为(c)图中纳米管上标记‘A’处的HRTEM图,右下方为对应的傅里叶变换图;(d) 显示有(100)平面的CsPbI3晶体结构;(e-f) 典型的CsPbI3纳米管的EDX谱和XRD图谱;(g-i) CsPbI在单个纳米管内的元素分布图
 

Figure 7. 组合03 20190710

2. (a) 偏压为2.0V,光电探测器器件在暗态和405nm光照下的光开关特性曲线图;(b) 光电探测器器件的光响应时间曲线图;

(c) 相同光强下,不同偏压下的电流-时间曲线图;(d) 在光强为0.27mW×cm-2下,RλD*作为偏压的函数曲线图;

(e-g) 光照射到纳米线、纳米片及纳米管上的示意图

 

 

 

 

 

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